삼성전자 반도체 기술 중국에 유출한 전직 연구원 구속영장

사진은 삼성전자 화성사업장 전경. (삼성전자 제공) 2023.3.22/뉴스1

(서울=뉴스1) 송상현 기자 = 우리나라의 반도체 기술을 중국 기업에 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원에 대해 경찰이 구속영장을 신청했다.

15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 ‘볼츠만’을 중국의 반도체 업체 ‘청두가오전’에 넘긴 혐의로 삼성전자 연구원 A의 구속영장을 신청했다.

A씨는 공정도를 자체적으로 만든 것이라고 주장했지만, 경찰은 해당 공정도를 삼성전자의 기술로 판단하고 있다.

청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최모씨가 지난 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 세운 회사다.

경찰은 또한 청두가오전이 정부 기관 출신 고위관계자들을 동원해 200명에 달하는 국내 반도체 인력을 빼 간 정황을 포착해 수사를 확대하고 있다.

A씨의 구속 전 피의자심문(영장실질심사)는 16일 서울중앙지법에서 열린다.

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